要想得到大功率LED器件，就必须制备合适的大功率LED芯片。对一些LED生产厂家和客户如何选择大功率LED芯片，选择合适的大功率LED芯片是个棘手的问题，我们深为此特意总结了一些方法供大家参考，不足之处希望大家给予补充。
      第一：增大尺寸法。增加有效的单一功能强大的LED发光区域，促使TCL层的电流均匀分布，以及专门设计的电极结构（通常为梳状电极），以实现预期的变化磁通流过的电流的大小的增加。然而，简单地增加发光面积不能解决根本问题的热耗散和光的问题，不能达到预期的效果焊剂和实际应用。
      第二：硅底板倒装法。首先要有适合共晶焊接电极的大尺寸LED芯片。同时制备相应尺寸的硅衬底，生产金共晶焊料层和所述导电引线的导电层（超声波金丝球接头）。然后，共晶焊接设备的大尺寸LED芯片与硅衬底焊接在一起。这样的结构更合理，也就是考虑光的问题，已考虑到散热问题。　　
      第三： 蓝宝石衬底过渡法。根据传统的方法制造蓝宝石衬底的PN结后，除去蓝宝石衬底上生长的InGaN芯片，然后连接到传统的四元材料，制造大尺寸的具有上下级电极结构的蓝色LED芯片。　　
      第四：陶瓷底板倒装法。要先用LED芯片厂通用设备产生一个适合共晶焊接电极结构的大面积光LED芯片和相应的陶瓷地板和生产的共晶锡导电层及引出导电层。经过共晶焊接设备中使用大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这种结构考虑了出光问题也考虑到散热问题，并使用高导热陶瓷板，陶瓷板，散热效果非常好，价格也比较低，因此，更适合于当前基材，未来整合集成电路封装伺服电路的安装空间留作下。
      第五:AlGaInN碳化矽（SiC）背面出光法。美国Cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造AlGaInN超高亮度LED的厂家，几年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提高。由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部，采用单引线键合，相容性较好，使用方便，因而成为AlGaInNLED发展的另一主流产品。